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铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现千层堆叠

近年来,3D NAND闪存技术飞速发展。铠侠预测,该技术将继续保持强劲增长势头,并预计到2027年将达到1000层堆叠的目标。

铠侠在3D NAND闪存领域的野心可见一斑。其BiCS8 3D NAND闪存已突破200层大关,并计划进一步探索五层单元(PLC)技术,以实现更高的密度。

相比之下,三星也表示将在2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片。但铠侠更为激进,设定了更早的实现时间表。

值得注意的是,提高3D NAND芯片的密度面临着制造方面的挑战。铠侠必须克服这些挑战,才能实现其雄心勃勃的目标。

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评论列表(4条)

  • admin
    admin 2025年05月15日

    我是临瑄科技网的签约作者“admin”!

  • admin
    admin 2025年05月15日

    希望本篇文章《澳门大三巴资料大全,提升自我,开启属于你的精彩成长之旅!》能对你有所帮助!

  • admin
    admin 2025年05月15日

    本站[临瑄科技网]内容主要涵盖:国足,欧洲杯,世界杯,篮球,欧冠,亚冠,英超,足球,综合体育

  • admin
    admin 2025年05月15日

    本文概览:铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现千层堆叠近年来,3D NAND闪存技术飞速发展。铠侠预测,该技术将继续保持强劲增长势头,并预计到2027年将达到1000层...

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