技术革新：三星采用钼材料提升 NAND 闪存性能
三星在第 9 代 V-NAND 闪存技术中，将钼（Mo）引入金属化工艺，取代了传统的钨材料。这一突破性举措旨在降低层高，从而提高性能。
三星转向钼材料，有望将层高减少 30% 至 40%，同时显著缩短 NAND 闪存的响应时间。这项创新将为数据存储领域带来重大性能提升，预示着 NAND 材料供应链的重塑。
钼材料的应用要求生产设备耐高温处理。三星从 Lam Research 公司采购了首批 5 台 Mo 沉积机，并计划在一年内再添置 20 台，以加快钼基 NAND 的生产布局。
三星与 Entegris 和 Air Liquide 等领先供应商合作，确保稳定的钼源供应。Merck 等公司也提供了钼材料样品，表明了行业对新技术路径的广泛支持。
业界同行，如 SK 海力士、美光和铠侠，也正探索在 NAND 生产中采用钼材料的可行性。这一举措推动了半导体材料的革新进程，预示着六氟化钨市场将面临压力，而钼材料市场将迅速崛起。
尽管钼材料成本较高，但其显著的性能优势和未来在 DRAM 和逻辑芯片领域的潜力，使其成为众多企业竞相追逐的热门选择。
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